方正电气成套设备-制氢整流控制柜价格-整流控制柜价格

硅整流器正向特征

当控制极开路，阳极上加上正向电压时，j1、j3结正偏，但j2结反偏，这与普通pn结的反向特性相似，制氢整流控制柜价格，也只能流过很小电流，整流控制柜价格，这叫正向阻断状态，当电压增加，的特性发生了弯曲，如特性oa段所示，弯曲处的是ubo叫:正向转折电压。

由于电压升高到j2结的雪崩击穿电压后，j2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入n1区，空穴时入p2区。进入n1区的电子与由p1区通过j1结注入n1区的空穴复合，同样，制氢整流控制柜价格，进入p2区的空穴与由n2区通过j3结注入p2区的电子复合，雪崩击穿，进入n1区的电子与进入p2区的空穴各自不能全部复合掉，电解锑整流控制柜价格，这样，在n1区就有电子积累，在p2区就有空穴积累，结果使p2区的电位升高，n1区的电位下降，j2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线ab段。

这时j1、j2、j3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的pn结正向特性相似，中的bc段。